体积小、适合表面安装;采用成熟的厚膜工艺,性能稳定;采用激光调阻工艺,衰减量精度高;封装形式:W0型(平面锡焊式,无包边)、W3型(包三边锡焊式,对信号输入输出端以及接地端包边)、G型(平面金电极,无包边),WB1型(对地包边金电极)、W1型(对地包边锡焊式);工作温度:-55℃~150℃(其中-55℃~125℃,通过功率最高为额定功率,125℃~150℃,通过功率线性减低至0W);